Наверняка платформа AMD Ryzen не сможет конкурировать с Intel по скорости работы памяти в связи с особенностями архитектуры. Однако это достижение очень важно для AMD, ведь прошлый рекорд частоты ОЗУ составил 1950,3 МГц, и он был установлен на памяти DDR3 в 2012 году. Что касается Intel, то у неё похожий результат, 2115,6 МГц, был достигнут в июне 2013 года на процессоре Intel Core i7 4770K.
Скоростной барьер памяти в 4 ГГц для компании AMD преодолён! Австралийский оверклокер Newlife сумел разогнать память DDR4 до 4079,2 МГц. Это стало возможным благодаря новому BIOS, который предлагает больше возможностей по управлению оперативной памятью.
Модули памяти Corsair Vengeance представлены в наборах по 4 планки по 8 ГБ каждая. Хотя память SODIMM традиционно используется в ноутбуках, данные наборы предназначены в первую очередь для компьютеров малого форм фактора, работающих под управлением чипсетов X299.
Наборы памяти Corsair Vengeance LPX 32GB DDR4-4333 МГц получили кодовое имя CMK32GX4M4K4333C19. Эти планки построены на тех же микросхема Samsung B-die DDR4, что и конкурирующее решение G.Skill. Тайминги памяти весьма агрессивны и представлены в формуле CL19-26-26-46. Напряжение питание составляет 1,5 В. Наборы памяти соответствуют спецификации XMP 2.0, что позволяет достигать рекордной частоты единственной настройкой в BIOS.
Средняя отпускная цена чипа оперативной памяти с января 2012 г. по февраль 2017 г. (WSTS, IC Insights)
Для его реализации ADATA решила погрузить память DDR4 в минеральное масло. На данный момент проект Jellyfish представлен маленьким акриловым конвертом, в который вставлен модуль DIMM. Внутри конверта налито минеральное масло. Данное количество масла рассеивает тепло от радиаторов наилучшим образом, при этом не требуются металлические радиаторы. Насколько такая система эффективна говорить пока рано.
Компания G.Skill, известная благодаря выпуску комплектов памяти, анонсировала очередную новинку – комплект памяти Trident Z RGB DDR4-4700, состоящий из двух модулей по 8 ГБ каждый. Предполагаетс…
Причины роста цен на оперативную память DDR4. Все новости.
Самый быстрый вариант со скоростью 4600 МГц предлагается в наборах из двух планок объёмом по 8 ГБ каждая. Такая память работает с таймингами CL19-25-25-45 и при напряжении 1,5 В. Те же, кому нужно больше памяти, могут приобрести набор из четырёх планок общим объёмом 32 ГБ, но со скоростью 4200 МГц. Также доступны наборы с RGB подсветкой, однако в них скорость ниже на 200 МГц. Эти наборы предлагают тайминги CL18-19-19-39. Все платы памяти построены на интегрируемых комплектующих от Samsung.
Это позволяет компании выпускать модули того же объёма, что раньше, используя для этого вдвое меньше микросхем. В результате снижается энергопотребление модулей и появляется возможность создания модулей повышенного объёма. Это очень важно, поскольку позволят экипировать сервера от Intel или AMD модулями ОЗУ общим объёмом 4 ТБ.
Как обычно, первыми доступ к технологии получат промышленные потребители, в первую очередь — экзаскалярные системы, суперкомпьютеры, с производительностью порядка экзафлопса. Затем память будет доступна для более простых промышленных систем, и, наконец, для бытовых потребителей.
На сколько подорожала память оперативная DDR4. Эксклюзив.
Как прокомментировал ситуацию Аврил Ву (Avril Wu), директор по исследованиям DRAMeXchange: «Такое положение дел продлится до 2018 года, поскольку поставщики не введут дополнительных производственных мощностей в ближайшей перспективе. А это значит, что цена различных DRAM-продуктов в среднем будет оставаться высокой».
Компания G.Skill уже имеет в своём портфеле наборы памяти для ноутбуков со скоростью 4000 МТ/с, но они существуют лишь в наборах по 32 ГБ. Новое решение компании предлагает скорость в 3466 МТ/с, однако такая скорость доступна наборам объёмам 64 ГБ, по 16 ГБ на планку.
Уже в конце февраля компания Samsung планирует представить новые смартфоны в серии Galaxy S – модели S9 и S9 . Эта линейка существует уже 8 лет – начиная с выпуска первого Galaxy S в 2010 …
Следующий график демонстрирует, что производители RAM — главным образом Samsung, SK Hynix и Micron — в прошлом году своими грамотными действиями смогли избежать удешевления памяти до уровня 2012 года, когда модулями по бросовым ценам не запасался только ленивый. Сегодня крупные игроки рынка склонны скорее удерживать высокие цены, чем наращивать объёмы выпуска микросхем и модулей, ведь существует риск, что инвестиции в дополнительные производственные мощности не окупятся. В прошлые годы, когда количество компаний, изготавливающих чипы и модули оперативной памяти, было в разы больше, поддерживать высокую стоимость RAM крупнейшим производителям было проблематично.
Подорожание оперативной памяти DDR4 2018 видео информация. Сводка на сегодня.
Подорожание оперативной памяти DDR4 2018 2018-02-13